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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
14.2
18.3
写入速度,GB/s
10.0
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
3555
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
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