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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
33
左右 -50% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
22
读取速度,GB/s
17.6
16.9
写入速度,GB/s
12.0
13.7
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3139
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
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