RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
63
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
40
读取速度,GB/s
8.1
17.0
写入速度,GB/s
7.5
13.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3180
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM的比较
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link