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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
差异
规格
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
63
左右 -142% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
26
读取速度,GB/s
8.1
14.5
写入速度,GB/s
7.5
8.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2486
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
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Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
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