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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
63
左右 -125% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
28
读取速度,GB/s
8.1
17.1
写入速度,GB/s
7.5
14.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3379
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
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