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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
63
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
30
读取速度,GB/s
8.1
17.6
写入速度,GB/s
7.5
15.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3728
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
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