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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
63
左右 -174% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
23
读取速度,GB/s
8.1
19.8
写入速度,GB/s
7.5
18.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
4128
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
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