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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Inmos + 256MB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Inmos + 256MB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Inmos + 256MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Inmos + 256MB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
63
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.5
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
16800
12800
左右 1.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Inmos + 256MB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
30
读取速度,GB/s
8.1
11.5
写入速度,GB/s
7.5
9.1
内存带宽,mbps
12800
16800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
1945
2318
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM的比较
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Inmos + 256MB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Inmos + 256MB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
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Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
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