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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston 9905598-019.A00G 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
63
左右 -174% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
23
读取速度,GB/s
8.1
14.2
写入速度,GB/s
7.5
7.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2368
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
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