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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
63
左右 -142% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
26
读取速度,GB/s
8.1
14.5
写入速度,GB/s
7.5
10.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2194
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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