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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Team Group Inc. 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Team Group Inc. 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
11.4
15.3
写入速度,GB/s
7.4
13.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2873
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Team Group Inc. 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
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