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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
42
63
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
42
读取速度,GB/s
8.1
15.7
写入速度,GB/s
7.5
12.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2352
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
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Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/4GX 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
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Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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