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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
56
63
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
56
读取速度,GB/s
8.1
15.5
写入速度,GB/s
7.5
8.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
1964
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
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