RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs AMD R748G2400S2S 8GB

总分
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

总分
star star star star star
AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    49 left arrow 135
    左右 64% 更低的延时
AMD R748G2400S2S 8GB 需要考虑的原因
AMD R748G2400S2S 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.2 left arrow 10
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 135
  • 读取速度，GB/s
    10.0 left arrow 15.2
  • 写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 8.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2116 left arrow 1359

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM的比较

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
内存RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
内存RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
内存RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
内存RAM