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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs AMD R748G2400S2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
AMD R748G2400S2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
135
Intorno 64% latenza inferiore
Motivi da considerare
AMD R748G2400S2S 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
10
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
135
Velocità di lettura, GB/s
10.0
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
1359
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
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