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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
42
49
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
42
读取速度,GB/s
10.0
14.0
写入速度,GB/s
8.2
13.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
2998
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-048.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-035.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
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