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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.0
18.2
写入速度,GB/s
8.2
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
2947
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
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Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
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