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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
71
左右 31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
10
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
71
读取速度,GB/s
10.0
14.9
写入速度,GB/s
8.2
7.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
1631
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
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Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
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