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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
10.0
19.9
写入速度,GB/s
8.2
16.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
3832
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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