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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
186
左右 74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10
3.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
2.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
186
读取速度,GB/s
10.0
3.9
写入速度,GB/s
8.2
2.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
536
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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