RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
186
En 74% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10
3.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
2.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
186
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
3.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
2.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
536
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link