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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.0
20.2
写入速度,GB/s
8.2
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
3241
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
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