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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
53
左右 -104% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
26
读取速度,GB/s
3,726.4
13.4
写入速度,GB/s
1,590.1
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2673
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
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Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
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