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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
22
读取速度,GB/s
12.7
15.7
写入速度,GB/s
7.5
7.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2493
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
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