Porównanie pamięci RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

Wynik ogólny

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

22 28

Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

15.7 12.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

7.8 7.5

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 8500

Wokół strony 2 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1988 2493

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns