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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston 9905678-027.A00G 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.0
15.2
写入速度,GB/s
8.2
9.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
2724
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
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