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Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
比较
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
总分
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
总分
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
45
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
36
读取速度,GB/s
10.8
16.0
写入速度,GB/s
8.7
13.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2237
3313
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB RAM的比较
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
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Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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