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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

总分
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

总分
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Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    18 left arrow 42
    左右 -133% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    20.8 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    16.6 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 18
  • 读取速度，GB/s
    10.6 left arrow 20.8
  • 写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 16.6
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2423 left arrow 3650

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM的比较

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AMD R5S38G1601U2S 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston 9905702-136.A00G 8GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston 9905701-032.A00G 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
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内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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