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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
66
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
66
读取速度,GB/s
2,614.5
16.7
写入速度,GB/s
1,145.9
8.5
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
1912
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
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