RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

总分
star star star star star
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

总分
star star star star star
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB 需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
报告一个错误
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB 需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    40 left arrow 52
    左右 -30% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.5 left arrow 9.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.7 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 14900
    左右 1.29 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    52 left arrow 40
  • 读取速度，GB/s
    9.7 left arrow 17.5
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 9.7
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2173 left arrow 2462

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较

Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
内存RAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
内存RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
内存RAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
内存RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
内存RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
内存RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
内存RAM