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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Super Talent F24UB16GV 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Super Talent F24UB16GV 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Super Talent F24UB16GV 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
58
左右 -142% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
24
读取速度,GB/s
4,241.0
16.0
写入速度,GB/s
1,950.7
13.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3046
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
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Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
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