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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
10.6
17.7
写入速度,GB/s
9.0
13.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3483
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
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