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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB

总分
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

总分
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Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB 需要考虑的原因
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 38
    左右 -73% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.9 left arrow 14.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.5 left arrow 9.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    38 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    14.7 left arrow 17.9
  • 写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 14.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2496 left arrow 3411

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB RAM的比较

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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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内存RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
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Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
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内存RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
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内存RAM
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
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ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
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内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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