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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
10.6
18.6
写入速度,GB/s
9.0
14.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3765
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
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