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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
66
左右 36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
66
读取速度,GB/s
10.6
15.9
写入速度,GB/s
9.0
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
1877
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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