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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
差异
规格
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
12.8
17.7
写入速度,GB/s
9.4
14.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2282
3567
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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