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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
39
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
31
读取速度,GB/s
12.8
16.2
写入速度,GB/s
7.4
11.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
2897
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
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