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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
42
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
24
读取速度,GB/s
10.6
17.4
写入速度,GB/s
9.0
13.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3049
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
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