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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905630-031.A00G 16GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
10.6
15.5
写入速度,GB/s
9.0
10.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2619
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
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