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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905678-105.A00G 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
10.6
17.4
写入速度,GB/s
9.0
12.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3120
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
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