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Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
比较
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
总分
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
总分
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 -96% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
2,001.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
23
读取速度,GB/s
4,776.5
14.4
写入速度,GB/s
2,001.7
7.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
669
2236
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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