Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB против Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB

Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 14.4
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 45
    Около -96% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    7.3 left arrow 2,001.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 5300
    Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    45 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,776.5 left arrow 14.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,001.7 left arrow 7.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    669 left arrow 2236
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения