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Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
総合得点
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
総合得点
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
14.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
45
周辺 -96% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.3
2,001.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
45
23
読み出し速度、GB/s
4,776.5
14.4
書き込み速度、GB/秒
2,001.7
7.3
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
669
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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