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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
42
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
34
读取速度,GB/s
10.6
17.2
写入速度,GB/s
9.0
12.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3119
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
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