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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
42
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.6
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
37
读取速度,GB/s
10.6
21.6
写入速度,GB/s
9.0
15.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3581
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
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