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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.6
8.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
42
左右 -11% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
38
读取速度,GB/s
10.6
8.6
写入速度,GB/s
9.0
7.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2094
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
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