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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
42
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
34
读取速度,GB/s
10.6
14.1
写入速度,GB/s
9.0
9.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2562
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM的比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
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