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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
比较
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
总分
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
总分
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
75
77
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.9
2,072.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
77
读取速度,GB/s
2,730.3
11.9
写入速度,GB/s
2,072.7
6.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
1517
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
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