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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
比较
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
总分
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
73
75
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.1
2,072.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
73
读取速度,GB/s
2,730.3
14.1
写入速度,GB/s
2,072.7
7.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
1609
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB RAM的比较
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
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Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
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