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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston 9905744-077.A00G 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
41
45
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
41
读取速度,GB/s
12.0
15.6
写入速度,GB/s
7.8
11.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2685
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
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